SJ 20176-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
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基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440 |
| 中标分类： | 矿业 >> 矿业综合 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-11-19 |
| 实施日期： | 1993-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂 |
| 起草人： | 王长福、吴鑫奎、龚云 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-04-01 |
| 页数： | 12页 |
适用范围
本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 矿业 矿业综合 技术管理
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